GlobalFoundries oferă detalii despre tehnologia FDX Fusion, care vizează performanțe de clasă 7 nm fără EUV

GlobalFoundries a dezvăluit detalii suplimentare despre FDX Fusion, o tehnologie de fabricație concepută să combine performanțe de clasă 7 nm cu densitate logică de clasă 8 nm. Soluția utilizează tranzistoare planar fully depleted silicon-on-insulator (FD-SOI), în loc să se bazeze pe litografia cu ultraviolete extreme (EUV). Anunțul este relevant deoarece prezintă o cale alternativă către performanțe asociate nodurilor avansate, fără a necesita echipamente EUV. GlobalFoundries vizează începerea producției de volum mare în 2030.

Tehnologia prezentată se bazează pe tranzistoare planar FD-SOI, o structură în care stratul activ de siliciu este format deasupra unui strat izolator și este complet golit de sarcină în timpul funcționării. GlobalFoundries descrie performanțele preconizate ca fiind comparabile cu clasa 7 nm, iar densitatea logică drept comparabilă cu clasa 8 nm; acestea sunt comparații între clase, nu afirmații că procesul folosește exact acele dimensiuni. FDX Fusion este descrisă ca evitând litografia EUV, însă informațiile furnizate nu includ alte specificații ale procesului, randamente de fabricație sau rezultate de benchmark. Compania a discutat și despre pașii următori pentru nodul FDX Fusion și programul FDX în ansamblu, dar rezumatul articolului nu precizează alte etape sau detalii tehnice.

Ținta de producție de volum mare pentru 2030 plasează FDX Fusion pe un calendar de dezvoltare îndelungat, iar impactul său comercial va depinde de obținerea în producție a performanțelor și densității promise. Evitarea EUV ar putea oferi producătorilor o strategie alternativă de proces, însă articolul nu prezintă comparații de costuri sau angajamente confirmate din partea clienților. Sunt necesare informații suplimentare despre etapele de dezvoltare și pregătirea pentru producție, pe măsură ce GlobalFoundries continuă programul FDX.