Probleme de performanță la stocarea iPhone 18 Pro Max cu NAND QLC

Următorul iPhone 18 Pro Max de la Apple ar putea încorpora memorie flash QLC NAND, o tehnologie care permite capacități de stocare mai mari în același spațiu fizic, comparativ cu NAND TLC tradițional. Această alegere strategică de la Apple vizează oferirea consumatorilor de opțiuni de stocare mai mari, potențial la un cost de fabricație per gigabyte mai mic. Cu toate acestea, testele preliminare realizate de Homolab sugerează un dezavantaj semnificativ de performanță, vitezele de scriere susținute scăzând până la 1.1 MB/s sub sarcină intensă.

Problema tehnică principală provine din natura NAND QLC (Quad-Level Cell), care stochează patru biți de date per celulă de memorie, față de TLC (Triple-Level Cell) care stochează trei biți. În timp ce QLC oferă o densitate crescută și potențial costuri mai mici, fiecare celulă necesită o programare mai complexă și este mai predispusă la probleme de uzură și retenție a datelor. Constatările Homolab indică o degradare substanțială a performanței, raportată ca fiind cu aproximativ 38% mai lentă decât modelele Pro bazate pe TLC în timpul sarcinilor intensive de scriere, ridicând îngrijorări cu privire la experiența utilizatorului pentru aplicații solicitante precum înregistrarea video sau transferurile de fișiere mari.

Acest blocaj de performanță ar putea afecta valoarea percepută a nivelurilor superioare de stocare, dacă limitările vitezei de scriere sunt vizibile în utilizarea de zi cu zi. Industria va urmări cu atenție dacă Apple va implementa strategii de atenuare sau dacă acest compromis va deveni o caracteristică definitorie a iPhone 18 Pro Max. Generațiile viitoare de iPhone ar putea vedea o revenire la TLC sau adoptarea unor tehnologii NAND mai noi pentru a echilibra capacitatea și performanța.