Caută în știri
5 rezultate pentru „high-na”
- 20:13hardwareMicron prezintă o foaie de parcurs pentru DRAM și NAND, cu materiale noi și memorie personalizatăMicron a prezentat o foaie de parcurs pentru DRAM și 3D NAND, care include tehnologii și materiale noi, precum și High-NA EUV. Articolul afirmă și că memoria personalizată ar putea deveni mai răspândită, pe măsură ce dezvoltatorii AI întâmpină limitele soluțiilor actuale.
- 26.10 · 20:20hardwareMicron plănuiește să folosească îmbinarea plachetelor și EUV cu apertură numerică mare pentru următoarea generație de DRAMMicron a exclus designul de celule 4F2 și intenționează să folosească îmbinarea plachetelor și EUV cu apertură numerică mare în dezvoltarea viitoare a memoriei DRAM. Articolul menționează că firma ar putea trece la 3D NAND în următorii ani, fără a preciza un calendar sau specificații detaliate.
- 11.09 · 09:10hardwareTSMC, Samsung și Intel susțin dezvoltarea de către ASML a fotomăștilor High-NA EUV de 6x12 inch, dar tranziția ar putea dura aniProducătorii majori de cipuri, TSMC, Samsung și Intel, colaborează cu ASML pentru a dezvolta fotomăști mai mari de 6x12 inch pentru litografia High-NA EUV. Această inițiativă vizează permiterea producției de procesoare mai mari și mai complexe, fără a fi necesară îmbinarea mai multor fotomăști mai mici.
- 08.09 · 21:17hardwareTSMC va începe să folosească litografia High-NA EUV în 2030, vizând tehnologia A10 sau A11TSMC a anunțat intenția sa de a implementa litografia High-NA EUV începând cu anul 2030. Se așteaptă ca această tehnologie avansată să fie utilizată pentru fabricarea cipurilor bazate pe nodurile de proces A10 sau A11.
- 08.09 · 09:05hardwareIntel procesează un milion de napolitane High-NA EUV, lider în industrie cu tehnologie avansată de fotomascăIntel a atins un prag important, procesând un milion de napolitane folosind litografia High-NA EUV, depășind restul industriei. Compania este, de asemenea, pionieră în utilizarea mastilor fotolitografice mai mari de 6x12 inch pentru a spori eficiența producției și a reduce costurile în fabricarea semiconductorilor.
