Micron plănuiește să folosească îmbinarea plachetelor și EUV cu apertură numerică mare pentru următoarea generație de DRAM

Micron ar urma să aleagă o altă direcție pentru scalarea viitoare a memoriei DRAM, excluzând designul de celule 4F2 în favoarea îmbinării plachetelor și a litografiei EUV cu apertură numerică mare. Schimbarea contează deoarece indică faptul că firma ia în calcul noi metode de fabricație pentru a crește densitatea memoriei. Relatarea succintă menționează și o posibilă trecere la 3D NAND în următorii ani, fără să explice legătura dintre această direcție și planurile pentru DRAM. Nu este anunțat niciun produs și nu este oferită o dată concretă de lansare.

Metodele tehnice menționate sunt îmbinarea plachetelor, prin care sunt unite structuri fabricate separat, și EUV cu apertură numerică mare, o tehnologie avansată de litografie. Articolul nu oferă detalii despre nodurile de fabricație, capacitatea memoriei, performanță, randamentul producției sau costuri. De asemenea, nu descrie designul 4F2 și nici motivele pentru care Micron l-a respins, astfel că compromisurile inginerești rămân neclare. Referirea la 3D NAND indică o posibilă direcție viitoare, nu un produs specific sau un calendar confirmat.

Dacă vor fi puse în practică, aceste planuri ar reflecta continuarea căutării unor metode de scalare a memoriei dincolo de arhitecturile de celule consacrate. Ele ar putea influența viitoarea foaie de parcurs a producției Micron, însă informațiile disponibile sunt insuficiente pentru a evalua calendarul sau efectul asupra concurenței. Sunt necesare comunicări suplimentare ale companiei pentru a clarifica implementarea, obiectivele de producție și felul în care se leagă abordările propuse.