Următoarea generație 3D NAND de la Micron va dubla densitatea de biți, depășind 400 de straturi

Tehnologia 3D NAND G11 de următoarea generație de la Micron este prezentată ca o soluție menită să crească densitatea de stocare și performanța interfeței. Potrivit articolului, memoria va avea peste 400 de straturi și va viza o densitate de 42 Gb/mm², descrisă drept o dublare a densității de biți. Aceste cifre contează deoarece o densitate mai mare poate permite SSD-urilor să ofere mai multă capacitate într-un spațiu dat. Obiectivele anunțate indică îmbunătățiri atât în cantitatea de date stocată, cât și în viteza transferului prin interfața memoriei.

Articolul identifică produsul drept 3D NAND G11 de la Micron și menționează două specificații principale: o densitate vizată de 42 Gb/mm² și o viteză a interfeței de 5.400 MT/s. De asemenea, indică un număr de peste 400 de straturi, dar nu oferă detalii suplimentare despre arhitectura memoriei, procesul de fabricație sau modul în care este calculată comparația privind densitatea. Valoarea de 5.400 MT/s descrie rata interfeței, nu viteza reală completă de citire sau scriere a unui SSD. Informațiile furnizate nu includ o dată de disponibilitate, o gamă de produse sau măsurători independente ale performanței.

Dacă valorile anunțate se confirmă, densitatea și rata interfeței ar putea oferi producătorilor de SSD-uri noi opțiuni pentru proiectarea unor unități cu capacitate și performanță mai mari. Articolul nu precizează când vor ajunge pe piață produsele bazate pe G11 și nici ce dispozitive le vor integra, astfel că aceste detalii rămân necunoscute. Specificațiile suplimentare și anunțurile despre produse vor clarifica impactul practic.