Caută în știri_

15 rezultate pentru „euv”

• 20:14hardwareGlobalFoundries oferă detalii despre tehnologia FDX Fusion, care vizează performanțe de clasă 7 nm fără EUVGlobalFoundries a oferit detalii suplimentare despre FDX Fusion, o tehnologie planar FD-SOI concepută pentru performanțe de clasă 7 nm și densitate logică de clasă 8 nm, fără litografie EUV. Compania vizează începerea producției de volum mare în 2030 și a prezentat rolul tehnologiei în programul FDX.
  
• 04.11 · 20:13hardwareMicron prezintă o foaie de parcurs pentru DRAM și NAND, cu materiale noi și memorie personalizatăMicron a prezentat o foaie de parcurs pentru DRAM și 3D NAND, care include tehnologii și materiale noi, precum și High-NA EUV. Articolul afirmă și că memoria personalizată ar putea deveni mai răspândită, pe măsură ce dezvoltatorii AI întâmpină limitele soluțiilor actuale.
  
• 26.10 · 20:20hardwareMicron plănuiește să folosească îmbinarea plachetelor și EUV cu apertură numerică mare pentru următoarea generație de DRAMMicron a exclus designul de celule 4F2 și intenționează să folosească îmbinarea plachetelor și EUV cu apertură numerică mare în dezvoltarea viitoare a memoriei DRAM. Articolul menționează că firma ar putea trece la 3D NAND în următorii ani, fără a preciza un calendar sau specificații detaliate.
  
• 24.10 · 09:14hardwareChina poate produce cipuri avansate fără EUV, dar costurile continuă să creascăChina a extins utilizarea litografiei DUV mai vechi, folosind patterning multiplu pentru a se apropia de cipuri din clasa 5 nm fără echipamente EUV. Experții spun că prețurile în creștere, randamentul mai scăzut și cipurile mai mari ar putea face progresul suplimentar neviabil economic.
  
• 17.10 · 12:25hardwareChina face un pas spre independența de ASML cu o sursă EUV realizată aproape integral localStartup-ul Langdao Silex din Shanghai a prezentat FlintNano LPP-OXXO, un prototip de sursă EUV realizat, potrivit articolului, în proporție de 90% din componente produse local. Acesta folosește tehnologia plasmei produse cu laser, utilizată și în echipamentele ASML, în contextul eforturilor Chinei de a dezvolta echipamente autohtone pentru producția de semiconductori.
• 17.10 · 11:56hardwareUn startup chinez prezintă un prototip de sursă de lumină EUVStartupul chinez Langdao Silex a prezentat la un târg un prototip de sursă de lumină EUV bazată pe plasmă produsă cu laser. Tehnologia este încă departe de niveluri utile de putere EUV, iar construirea unui sistem practic de litografie EUV ar necesita progrese suplimentare.
• 14.10 · 21:02hardwareFabrica Terafab a lui Elon Musk va primi prima unealtă EUV de la ASML la mijlocul anului 2027Proiectul ambițios al lui Elon Musk pentru fabricarea de cipuri, Terafab, urmează să primească prima sa unealtă de litografie prin ultraviolet extrem (EUV) de la ASML la mijlocul anului 2027. Deși Musk și-a exprimat interesul pentru surse de lumină alternative, configurația inițială se va baza pe tehnologia EUV consacrată de la ASML.
• 14.10 · 08:09roboticsPește robotic moale combină înotul de mare viteză cu manevrabilitatea 3DCercetătorii au dezvoltat un pește robotic moale inovator, capabil de înot de mare viteză și manevre 3D agile, depășind o provocare majoră de proiectare. Această realizare integrează un sistem de propulsie rigid-flexibil cu control dinamic al flotabilității pentru performanțe îmbunătățite.
• 07.10 · 21:05roboticsRobot subacvatic inspirat de stelele de mare obține manevrabilitate 3D cu doar doi actuatoriCercetătorii au dezvoltat un nou robot acvatic moale, inspirat de mișcarea stelelor de mare, care permite manevrabilitate completă tridimensională folosind doar doi actuatori. Această inovație, detaliată în jurnalul Science Advances, reprezintă un pas important în robotica subacvatică bio-inspirată.
• 21.09 · 21:08hardwareChina Creează Tranzistori Gate-All-Around de 3nm Funcționali Fără EUVCercetătorii din China au dezvoltat cu succes tranzistori funcționali Gate-All-Around (GAA) folosind nanosheet-uri suprapuse, ocolind necesitatea litografiei costisitoare cu Ultraviolet Extrem (EUV). Deși aceasta reprezintă un pas semnificativ în capacitățile interne de producție de cipuri, atingerea unui nod de proces complet de clasă 3nm rămâne un obiectiv îndepărtat.
• 18.09 · 21:03hardwareASML Prioritizează Plasma Produsă cu Laser pentru Fabricarea Cipurilor, Ignorând Tehnologia cu Acceleratoare de ParticuleASML se concentrează pe sursele sale consacrate de lumină EUV LPP (Laser-Produced Plasma) pentru echipamentele de fabricare a cipurilor, manifestând un interes redus pentru adoptarea surselor bazate pe acceleratoare de particule FEL (Free-Electron Laser). Această decizie provine din progresul semnificativ pe care ASML l-a realizat cu tehnologia sa actuală LPP.
• 11.09 · 09:10hardwareTSMC, Samsung și Intel susțin dezvoltarea de către ASML a fotomăștilor High-NA EUV de 6x12 inch, dar tranziția ar putea dura aniProducătorii majori de cipuri, TSMC, Samsung și Intel, colaborează cu ASML pentru a dezvolta fotomăști mai mari de 6x12 inch pentru litografia High-NA EUV. Această inițiativă vizează permiterea producției de procesoare mai mari și mai complexe, fără a fi necesară îmbinarea mai multor fotomăști mai mici.
• 08.09 · 21:17hardwareTSMC va începe să folosească litografia High-NA EUV în 2030, vizând tehnologia A10 sau A11TSMC a anunțat intenția sa de a implementa litografia High-NA EUV începând cu anul 2030. Se așteaptă ca această tehnologie avansată să fie utilizată pentru fabricarea cipurilor bazate pe nodurile de proces A10 sau A11.
• 08.09 · 09:05hardwareIntel procesează un milion de napolitane High-NA EUV, lider în industrie cu tehnologie avansată de fotomascăIntel a atins un prag important, procesând un milion de napolitane folosind litografia High-NA EUV, depășind restul industriei. Compania este, de asemenea, pionieră în utilizarea mastilor fotolitografice mai mari de 6x12 inch pentru a spori eficiența producției și a reduce costurile în fabricarea semiconductorilor.
• 02.09 · 21:13hardwareTehnologia EUV a Chinei 'la un stadiu similar cu ASML în 2004', susține un analistUn analist susține că tehnologia avansată EUV a Chinei este comparabilă cu capacitățile ASML din 2004, indicând un decalaj semnificativ față de producția actuală de semiconductori din Occident. În ciuda zvonurilor, nu există dovezi că China produce în masă scanere de litografie cu imersie, o tehnologie cheie pentru fabricarea avansată de cipuri.